半导体装置及其制造方法

摘要

一种具有可增加耐热性之WPL结构之半导体装置，且一分布在一PI膜上之屏障层与一晶片用Si基板系形成在该Si基板与一密封树脂之间，以包围该晶片之所有侧。该屏障层之材料系选择可在该屏障层与该Si基板之间、在该屏障层与该PI膜之间、及在该屏障层与该密封树脂之间得到良好之黏着力者。因此，即使一裂缝出现在该半导体装置一侧上之一部份处，即，该Si基板与该密封树脂在加热环境下结合处，该裂缝亦不会延伸至该屏障层内侧。这可防止该密封树脂剥离或在该晶片内发生剥离，并且维持该半导体装置之效能。