操作MOSFET作为反熔丝方法METHOD FOR OPERATING A MOSFET AS AN ANTIFUSE

摘要

一种操作金氧半场效电晶体(MOSFET)做为反熔丝的方法，包括下列方法步骤：本案揭露一金氧半场效电晶体(MOSFET)，其具有用于运载电流而准备的通道区域，该通道区域配置于一源极区域与一汲极区域之间，并利用闸极介电质而与该闸极电极分开配置；在该通道区域中产生热载子；藉由将该热载子引入该闸极介电质中以降低该闸极介电质的绝缘性质；以及施加一崩溃电压一用于崩溃该闸极介电质，该崩溃电压是由该闸极电极与该通道区域之间的热载子所降低。本案亦揭露一相关的金氧半场效电晶体(MOSFET)半导体组件与相关的积体电路。