CMOS影像感测元件的制作方法

摘要

一种具有栓固式光二极体CMOS影像感测元件的制作方法，包含提供第一导电型半导体基材，其具有一掺杂井；于掺杂井上形成闸极；进行自我对准离子布植制程，于半导体基材之光感应区内形成第二导电型二极体掺杂区；进行斜角度离子布植制程，于半导体基材内形成第二导电型口袋掺杂区；于闸极侧壁上形成侧壁子；在二极体掺杂区内形成第一导电型表面栓固掺杂层，表面栓固掺杂层、二极体掺杂区、口袋掺杂区与半导体基材构成一栓固光二极体组态。