发明名称 半导体积体电路装置及电子装置
摘要 具有任意设定的漏电流检测倍率不取决于电源电压、温度或制程变异,且易于检测漏电流的漏电流检测电路的半导体积体电路装置以及电子装置。半导体积体电路装置(100)从两个NchMIS电晶体的中间取出稳定的电位Vg2,将以该电位作为闸极电位的NchMOS电晶体Tn5的汲极电流使用电流镜电路(112)放大至任意倍率的电流值,并使该电流值流过其闸极与汲极连接的NchMOS电晶体Tn2,将该NchMOS电晶体Tn2的汲极电位Vg1施加到漏电流检测NchMOS电晶体Tn1的闸极。
申请公布号 TW200723691 申请公布日期 2007.06.16
申请号 TW095137519 申请日期 2006.10.12
申请人 松下电器产业股份有限公司 发明人 伊藤稔
分类号 H03K19/0948(2006.01);G01R31/26(2006.01) 主分类号 H03K19/0948(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 日本
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