用于增进储存格(CELL)稳定性与效能混合BULK-SOI 6T- SRAM储存格A HYBRID BULK-SOI 6T-SRAM CELL FOR IMPROVED CELL STABILITY AND PERFORMANCE

摘要

本发明提供一种6T-SRAM半导体结构，其包括一具有一SOI区与一块矽区的基材，其中该SOI区与该块矽区的结晶方向可相同或相异(crystallographic orientation)；一绝缘区，其负责将该SOI区与一块矽区两者隔离；与至少一个定位在该SOI区的第一元件以及一至少一个定位在该块矽区的第二元件。该SOI区具有一在一绝缘体层上方的矽层。该块矽区进一步包含一在该第二元件下方的阱区(well region)，以及一对应至该阱区的接触面(contact)，其中该接触面可稳定浮体效应(floating body effect)。该阱接触面亦可用于控制在该块矽区中的该FET临界电压，以便将根据该SOI区与一块矽区FETs两者之结合所建构出的该SRAM胞的功率以及效能最佳化。