| 发明名称 | 形成且操作辅助电荷记忆元件之方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种形成一辅助电荷记忆(AC记忆体)单元之方法。该方法使用一包括二侧电荷设陷层之二侧电荷陷阱记忆单元。一电荷系形成在该二侧电荷设陷层之至少一部份中。该二侧电荷设陷层中之一侧(AC侧)恒具有一固定高临限电压(Vt)位准，该电荷系用于AC记忆单元之辅助电荷。该另一侧(资料侧)系用于记忆体操作。 | ||
| 申请公布号 | TW200723452 | 申请公布日期 | 2007.06.16 |
| 申请号 | TW094143726 | 申请日期 | 2005.12.09 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 郭明昌;吴昭谊;李明修;徐子轩 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L29/792(2006.01);G11C16/04(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 林素华 | |
| 主权项 | |||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 | ||