制作包含具有界定半导体接面之区域之超晶格的半导体元件之方法

摘要

一种制作一半导体元件之方法可包含形成一超晶格，其包含复数个堆叠的层群组。超晶格的每一个层群组各包含有界定了一个基底矽质部分的复数个堆叠基底矽单层，以及其上之一能带修改层。能带修改层包含有限定于相邻基底半导体部份的一晶体晶格内的至少一个非半导体单层。该方法可更包含形成至少一对以对向掺杂的区域于界定至少一半导体接面之超晶格中。