用于效能之光学邻近校正(OPC)修整之方法

摘要

本发明揭示一种递回时效分析，其在制造一晶片之前执行解析，其系基于使用光学邻近校正技术的方法，用以缩短该等闸极长度，以及调整关键时效敏感性装置之金属线宽与邻近距离。该额外光罩系用于选择性修整以对于所选出预定的电晶体形成缩短的闸极长度或较宽的金属线，而影响该等选出装置之临界电压与RC时间常数。标记形状系识别出构成在该关键时效路径中该等装置之一预定的电路子群组。该分析技术可视需要经常重复以改善具有缩短之设计闸极长度与修正的RC时间常数之电路的时效，直到达到制造限度。使用OPC技术对于所选出的关键装置制作一光罩。