包含具有毗邻于应力层之主动区之电晶体结构之电子装置及形成该电子装置之方法

摘要

本发明揭示一种电子装置(10)，其可包含一第一导电类型之一电晶体结构(50)、一场隔离区(22)、及重叠于该场隔离区之一第一应力类型之一层(130)。例如，该电晶体结构(50)可为一p通道电晶体结构(50)且该第一应力类型可为拉伸；或该电晶体结构(60)可为一n通道电晶体结构且该第一应力类型(70)可为压缩。该电晶体结构(50)可包含一通道区(54)，其位于一主动区内。该主动区之边缘包含该通道区(54)与该场隔离区(22)间的介面。由一俯视图看来，该层可包含一边缘，其位于该主动区之边缘附近。该等边缘间之位置关系可影响该电晶体结构(50)之通道区(54)内的载子迁移率。