半导体晶片制造方法,以及半导体晶片

摘要

在一种用于对一个具有一个第一表面和一个第二表面之半导体晶圆的该第二表面执行电浆蚀刻的制造方法中，在该第一表面上，一个绝缘薄膜是置于分割区域而该第二表面是与该第一表面相对且一个用于界定该等分割区域的光罩是被设置于该第二表面上，藉此藉由移除对应于该等分割区域的部份该绝缘薄膜是自蚀刻底部部份曝露，而随后在该绝缘薄膜之曝露表面是由因在电浆中之离子而起之电荷充电的状态下持续执行该电浆蚀刻，藉此移去与在该等元件-形成-区域中之绝缘薄膜接触的角部份，各向同性电浆蚀刻是在任何时序对该半导体晶圆执行。