发明名称 使用掩罩形成平面二极体之方法
摘要 一种平面二极体及仅利用一掩罩制作平面二极体的方法。此二极体系藉由以氧化物涂覆基底而形成,去除氧化物的部份以定义出一窗,掺杂剂经由此窗扩散。基底镀有镍/金以提供欧姆式接触表面,且窗之周围上的氧化物被涂覆以一聚亚醯胺钝化剂,覆盖P/N接面。
申请公布号 TW200723547 申请公布日期 2007.06.16
申请号 TW095109896 申请日期 2006.03.22
申请人 微协通用半导体有限责任公司 发明人 汪海宁;吕志诚;江挽澜;陈世冠
分类号 H01L29/861(2006.01);H01L29/00(2006.01);H01L21/329(2006.01) 主分类号 H01L29/861(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 美国
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