记忆装置

摘要

本发明提供一种记忆装置，包括一基底；一第一主动区域，形成于该基底中；一第二主动区域，形成于该基底中，该第一主动区域与该第二主动区域的长轴彼此平行；复数个电晶体，设置于该第一主动区域与该第二主动区域之间，使得该第一主动区域与该第二主动区域作为该电晶体的源极/汲极区域使用。