| 摘要 |
L'invention concerne une mémoire vive dynamique (5) comprenant des cellules mémoire (T1,1, T1,2, T2,1, T2,2) réparties en rangées et en colonnes, chaque cellule mémoire comprenant un transistor MOS à corps flottant, la mémoire comprenant un moyen d'écriture (DL1, DL2, SL1, SL2) d'une donnée dans une cellule mémoire déterminée appartenant à une rangée déterminée et à une colonne déterminée, caractérisée en ce que le moyen d'écriture comprend un moyen adapté à amener les drains des cellules mémoire de la colonne déterminée à un potentiel V1 ; un moyen adapté à amener les sources des cellules mémoire de la rangée déterminée à un potentiel V2 ; et un moyen adapté à amener les drains des cellules mémoire des colonnes autres que la colonne déterminée et les sources des cellules mémoire des rangées autres que la rangée déterminée à un potentiel V3, les potentiels V1, V2 et V3 étant tels que |V1- V2|>|V3-V2| et (V1-V2) x (V3-V2)>0.
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