Die Erfindung betrifft Isolationsgräben (Trenches) mit hohem Aspektverhältnis für trenchisolierte Smart Power Technologien in Silicon On Insulator (SOI)-Siliziumscheiben. Durch die besondere geometrische Gestaltung (Layout) der Kreuzungs- und Einmündungspunkte von Isolationsgräben wird die Fehlerquote reduziert und der Fertigungsprozess vereinfacht.
