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Es ist eine Halbleitervorrichtung (10) vorgesehen, die eine Hauptelektrode (24) aus einem Hauptschaltelementebereich (26), eine Sensorelektrode (25) aus einem Sensorschaltelementebereich (27) und eine Schutzeinrichtung (30), die zwischen der Hauptelektrode (24) und der Sensorelektrode (25) ausgeformt ist, aufweist. Die Schutzeinrichtung (30) verbindet die Hauptelektrode (24) und die Sensorelektrode (25) elektrisch, wenn zwischen der Hauptelektrode (24) und der Sensorelektrode (25) eine Potentialdifferenz erzeugt wird. Die Halbleitervorrichtung (10) kann mit einer übermäßigen Spannung, wie zum Beispiel einer ESD, die zwischen der Sensorelektrode (25) und der Gate-Elektrode (23) erzeugt wurde, umgehen, während gleichzeitig verhindert wird, dass ein Gate-Ansteuerungsverlust ansteigt.
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