发明名称 Mikroelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines mikroelektronischen Bauelements
摘要 Ein mikroelektronisches Bauelement umfasst ein Substrat und einen Transistor. Der Transistor umfasst einen Kanalbereich in dem Substrat, sowie eine Ausnehmung in dem Kanalbereich, eine erste dielektrische Schicht und eine zweite dielektrische Schicht. Die erste dielektrische Schicht weist ein erstes dielektrisches Material auf und ist am Grund der Ausnehmung aufgebracht. Die zweite dielektrische Schicht weist ein zweites dielektrisches Material auf und ist an einer Seitenwand der Ausnehmung aufgebracht. Die Dielektrizitätskonstante des ersten dielektrischen Materials ist höher als die Dielektrizitätskonstante des zweiten dielektrischen Materials. Eine Gate-Elektrode befindet sich in der Ausnehmung und ist durch die erste und die zweite dielektrische Schicht von dem Kanalbereich elektrisch isoliert.
申请公布号 DE102006047541(A1) 申请公布日期 2007.06.14
申请号 DE200610047541 申请日期 2006.10.07
申请人 QIMONDA AG 发明人 STOEMMER, RALPH;STRASSER, MARC
分类号 H01L29/78;H01L21/335;H01L21/8232 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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