SYNTHETISCH ANTIFERROMAGNETISCHE STRUKTUR FÜR EIN MAGNETOELEKTRONISCHES GERÄT,申请号DE20036013660-传众专利搜索

发明名称	SYNTHETISCH ANTIFERROMAGNETISCHE STRUKTUR FÜR EIN MAGNETOELEKTRONISCHES GERÄT
摘要
申请公布号	DE60313660(D1)	申请公布日期	2007.06.14
申请号	DE20036013660	申请日期	2003.10.28
申请人	FREESCALE SEMICONDUCTOR INC.	发明人	JANESKY, JASON ALLEN;ENGEL, BRADLEY N.;RIZZO, NICHOLAS D.;SLAUGHTER, JON M.
分类号	G01R33/09;G11C11/16;H01F10/32;H01F41/30	主分类号	G01R33/09
代理机构		代理人
主权项
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