发明名称 Speicherbauelement und Speicherverfahren für Nutzdaten und Paritätsdaten
摘要 Die Erfindung bezieht sich auf ein Speicherbauelement mit einem Speicherzellenfeld (100), das einen normalen Speicherbereich (110) für Nutzdaten (NDAT) und einen Paritätsspeicherbereich (120) für Paritätsdaten (PDAT) aufweist, und auf ein zugehöriges Datenspeicherverfahren. DOLLAR A Erfindungsgemäß können im Paritätsspeicherbereich außer den Paritätsdaten auch Nutzdaten gespeichert werden, während im normalen Speicherbereich ausschließlich Nutzdaten gespeichert werden. Dabei werden Auffrischzyklen durchgeführt, deren Zyklusperiode davon abhängt, ob Nutzdaten im Paritätsspeicherbereich gespeichert sind. DOLLAR A Verwendung z.B. für Halbleiterspeicherbauelemente vom DRAM-Typ.
申请公布号 DE102006058895(A1) 申请公布日期 2007.06.14
申请号 DE200610058895 申请日期 2006.12.05
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD. 发明人 PARK, DUK HA;KWON, KEE WON
分类号 G11C11/4076;G11C29/52 主分类号 G11C11/4076
代理机构 代理人
主权项
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