| 摘要 |
<p>Die Erfindung stellt eine Isolationsgrabenstruktur und auch ein entsprechendes Layout bereit, in welchem die Isolationseigenschaften von Isolationsgräben (10, 10') an kritischen Bereichen (an Kreuzungen und Einmündungen) verbessert werden. Abgeflachte und/oder abgerundete Eckenbereiche (10a, 10b) der zu isolierenden Halbleitergebiete werden erzeugt, wobei das Ätz- und Verfüllverhalten ähnlich zu den Bereichen außerhalb der kritischen Bereiche eingestellt wird, indem eine Mitteninsel (18, 18') zur Anpassung der effektiven Grabenbreite in den kritischen Übergangsbereichen vorgesehen wird. Dadurch ist die Isolationsgrabenstruktur für Halbleiterbauelement-Anordnungen (Smart Power-Anwendungen) geeignet, in denen hohe Spannungsunterschiede zwischen den voneinander elektrisch zu isolierenden Gebieten (12, 12') mit den jeweiligen Bauelementen auftreten. Es können Leistungsbauelemente zusammen mit Kleinsignalelementen auf dem gleichen Chip integriert werden.</p> |
