发明名称 Verfahren zum Betreiben einer Halbleiterspeicheranordnung und Halbleiterspeicheranordnung
摘要 Verfahren zum Vorbereiten eines Rückspeicherns von Informationen, die in einer Vielzahl von Speicherzellen (100) gespeichert sind, wobei jede Speicherzelle (100) eine veränderbare Kenngröße (VT) hat, die die gespeicherte Information anzeigt, und wobei die veränderbare Kenngröße (VT) einen ersten Zustand anzeigt, wenn die Kenngröße (VT) kleiner als ein Leseschwellwert (RD) ist, und die veränderbare Kenngröße (VT) einen zweiten Zustand anzeigt, wenn die Kenngröße (VT) größer als der Leseschwellwert (RD) ist, wobei das Verfahren umfasst: DOLLAR A - Überprüfen, ob ein Absolutwert einer ersten Differenz zwischen der Kenngröße (VT) und dem Leseschwellwert (RD) größer als ein gegebener erster Schwellwert ist, DOLLAR A - Zuordnen der überprüften Kenngröße (VT) zu einer ersten Gruppe (61), wenn der Absolutwert der ersten Differenz größer als der erste Schwellwert ist, und DOLLAR A - Verändern der Kenngrößen (VT), die der ersten Gruppe (61) zugeordnet sind, sodass zumindest einer der Absolutwerte der ersten Differenzen verringert ist, oder sodass zumindest einer der gespeicherten Zustände wechselt.
申请公布号 DE102006005077(B3) 申请公布日期 2007.06.14
申请号 DE200610005077 申请日期 2006.02.03
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES FLASH GMBH & CO. KG 发明人 AUGUSTIN, UWE;KOEBERNIK, GERT
分类号 G11C16/34 主分类号 G11C16/34
代理机构 代理人
主权项
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