Halbleiterelement, Fertigungsprozess für dieses, Halbleiterlaser und Fertigungsprozess für diesen

摘要

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Halbleiterfertigungstechnologie zu schaffen, die zum Verhindern eines beim Rückflusslöten oder Drahtbonden auftretenden Abblätterns einer Elektrode geeignet ist. Es wird Halbleiterelement mit einer Elektrode auf der Vorder- oder Rückseite eines Halbleitersubstrats geschaffen, wobei das Halbleiterelement einen Aufbau aufweist, bei dem eine amorphe Siliciumschicht 106 zwischen der Elektrode 107 und dem Halbleitersubstrat 101 angeordnet und kein Wasserstoff zu der amorphen Siliciumschicht 106 hinzugefügt wird. Überdies wird auch in die Grenzfläche zwischen einer Elektrode 105 und einer Isolierschicht 103 und in die Grenzfläche zwischen der Isolierschicht und dem Halbleitersubstrat eine amorphe Siliciumschicht 104 eingefügt. Überdies ist die vorliegende Erfindung ebenso auf einen Halbleiterlaser mit einer als reflektierende Schicht dienenden Isolierschicht auf der Seite der Oberfläche mit oszillierendem Licht und als mehrschichtige reflektierende Schicht dienenden Isolierschichten auf der Seite der Oberfläche ohne eine Oszillation anwendbar.