存储单元、存储单元的制造方法与操作方法

摘要

一种存储单元，该存储单元位于基底上，该基底有多个浅沟渠隔离，其中每一上述这些浅沟渠隔离的上表面低于该基底的上表面，且上述这些浅沟渠隔离共同定义该基底的垂直鳍状结构，该存储单元包括：跨骑闸，载流子捕捉结构以及至少两源极/漏极区。跨骑闸位于基底上，其中跨骑闸跨骑垂直鳍状结构。载流子捕捉结构位于跨骑闸与基底之间，其中载流子捕捉结构包括直接接触跨骑闸的捕捉层以及位于捕捉层与基底之间的穿隧层。源极/漏极区位于跨骑闸所裸露的基底的部分垂直鳍状结构中。

主权项

1.一种存储单元，其特征是该存储单元位于基底上，该基底有多个浅沟渠隔离，其中每一上述这些浅沟渠隔离的上表面低于该基底的上表面，且上述这些浅沟渠隔离共同定义该基底的垂直鳍状结构，该存储单元包括：跨骑闸，位于该基底上，其中该跨骑闸跨骑该垂直鳍状结构；载流子捕捉结构，位于该跨骑闸与该基底之间，其中该载流子捕捉结构包括直接接触该跨骑闸的捕捉层以及位于该捕捉层与该基底之间的穿隧层；以及至少两源极/漏极区，位于该跨骑闸所裸露的该基底的部分该垂直鳍状结构中。