发明名称 |
用以解决电荷陷获非易失性存储器中难以擦除状态的方法 |
摘要 |
本发明提供一种用来操作氮化物陷获存储单元以解决难以擦除状态的方法,其通过使用重置技术而消除或减少在结区域的电子数目。当进行如500或100次一连串编程与擦除循环之后而检测到难以擦除状态时,使用衬底瞬变热空穴(STHH)重置操作。此衬底瞬变热空穴重置注入的空穴远离带至带隧穿热空穴(BTBTHH)注入的结面,使得STHH重置在循环耐久度方面可以维持于理想的循环范围,以消除或减少在后续编程与擦除循环中难以擦除的状态。 |
申请公布号 |
CN1979875A |
申请公布日期 |
2007.06.13 |
申请号 |
CN200610164207.8 |
申请日期 |
2006.12.05 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
徐子轩;施彦豪 |
分类号 |
H01L27/115(2006.01);H01L29/792(2006.01);G11C16/10(2006.01);G11C16/14(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01) |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 |
代理人 |
韩宏 |
主权项 |
1.一种用以解决在电荷陷获存储器中的难以擦除状态的方法,该电荷陷获存储器有栅极电压以及体电压,该方法包括:响应在电荷陷获存储器中经过多次编程以及擦除循环之后的状态,以进行衬底瞬变热空穴重置;以及进行该衬底瞬变热空穴重置,其通过将该电荷陷获存储器的临界电压调整至等于重置电压而完成,且该衬底的瞬变热空穴重置包括:施加具有一脉冲宽度的栅极电压;以及施加具有一脉冲宽度的体电压,其中该体电压的脉冲宽度短于该栅极电压的脉冲宽度;以及其中该栅极电压与该体电压二者的脉冲宽度的差异,足以将空穴从沟道区域移动至该电荷陷获存储器。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区 |