发明名称 半导体封装直接电性连接的基板结构
摘要 本发明的半导体封装直接电性连接的基板结构包括:一具有至少一贯穿开孔的承载结构;至少一收纳于该承载结构开孔中的半导体芯片,其表面具有电性连接垫;至少一形成于该半导体芯片及承载结构上的线路增层结构,该线路增层结构中形成有导电结构以电性连接至该半导体芯片的电性连接垫;以及一局部设置于该承载结构下且封闭其开孔的散热片,使该散热片相接于半导体芯片;本发明的一种半导体封装直接电性连接的基板结构同时整合了半导体芯片及其承载件,通过该承载结构可提高其上电子元件的散热能力,通过控制接置面的平整性,提升了后续进行线路增层结构的制程与电性连接的可靠性,并增加了结构空间利用灵活性,提升电子装置电性质量。
申请公布号 CN1979834A 申请公布日期 2007.06.13
申请号 CN200510125648.2 申请日期 2005.11.30
申请人 全懋精密科技股份有限公司 发明人 许诗滨
分类号 H01L23/488(2006.01);H01L23/36(2006.01) 主分类号 H01L23/488(2006.01)
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人 程伟
主权项 1.一种半导体封装直接电性连接的基板结构,其特征在于,该半导体封装直接电性连接的基板结构包括:一承载结构,具有至少一贯穿开孔;至少一半导体芯片,收纳于该承载结构的贯穿开孔中,且该半导体芯片表面形成有电性连接垫;至少一线路增层结构,形成于该半导体芯片及承载结构上,且该线路增层结构中形成有多个导电结构,电性连接到该半导体芯片上的电性连接垫;以及一散热片,局部接置于该承载结构,以封闭其开孔的一侧,并与该半导体芯片相接合。
地址 台湾省新竹市