| 发明名称 | 织构化晶粒粉末冶金钽溅射靶 | ||
| 摘要 | 溅射靶包括具有通过密实化钽粉末形成的钽晶粒的钽本体和溅射面。所述溅射面具有用于将钽原子输送远离溅射面以对基底进行镀覆的原子输送方向。所述钽晶粒在远离溅射面的原子输送方向上具有至少为40％的(222)晶向的取向比率和小于15％的(110)晶向的取向比率，用于增强溅射均匀度，所述钽本体没有可采用电子背散射衍射法而检测到的(200)－(222)晶向条带并且其中所述溅射靶的纯度至少达到99.99％。 | ||
| 申请公布号 | CN1981065A | 申请公布日期 | 2007.06.13 |
| 申请号 | CN200580017024.7 | 申请日期 | 2005.03.21 |
| 申请人 | 普莱克斯技术有限公司 | 发明人 | H·J·科伊尼斯曼恩;P·S·吉尔曼 |
| 分类号 | C22C27/02(2006.01) | 主分类号 | C22C27/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 温大鹏;廖凌玲 |
| 主权项 | 1、一种钽溅射靶，所述钽溅射靶包括：具有通过密实化钽粉末形成的钽晶粒的钽本体，所述钽本体具有溅射面，所述溅射面具有用于将钽原子输送远离溅射面以对基底进行镀覆的原子输送方向，所述钽晶粒在远离溅射面的原子输送方向上具有至少为约40％的(222)晶向的取向比率和小于约15％的(110)晶向的取向比率，用于增强溅射均匀度，所述钽本体没有可采用电子背散射衍射法而检测到的(200)-(222)晶向条带并且其中所述溅射靶的纯度至少达到99.99％。 | ||
| 地址 | 美国康涅狄格州 | ||