具有多层缓冲层结构的氮化物型半导体元件及其制造方法

摘要

一种氮化物型半导体元件的多层缓冲层结构，该缓冲层结构包含由高温下成长的Al_xIn_yGa_1－x－yN所形成的第一层；以及由低温下成长的未掺杂或适当地掺杂GaN型材料所形成的第二层。在由GaN型材料所形成的第二层中，可掺杂Al或In；或是共掺杂下列元素组中的一组：Al/In、Si/In、Si/Al、Mg/In、Mg/Al、Si/Al/In及Mg/Al/In。在另一实施例中，该缓冲层结构包含GaN晶核层、AlInN薄层、GaN型主层、以及GaN型薄层，其中GaN晶核层于高温下成长，而其它层在较低温下成长。

主权项

1.种氮化物型半导体元件，包括：基板；双层缓冲层结构，具有位于该基板上且由AlxInyGa1-x-yN(x≥0，y≥0，1≥x+y≥0)所形成的第一层，及位于该第一层上且由GaN型材料所形成的第二层；以及氮化物型磊晶层结构，位于该双层缓冲层结构的该第二层上。