发明名称 |
聚合物高分子材料表面改性的方法及其装置 |
摘要 |
本发明公开的聚合物高分子材料表面改性的方法,是以清洁后的聚合物高分子材料为衬底,将其置于脉冲激发等离子体化学气相沉积装置的反应室中,先向反应室通入氩气和氢气,用产生的等离子体对室温或加热至50-100℃的衬底进行活化处理;再通入纯乙烯气体,控制气体流量比为氩气∶氢气∶乙烯=5∶1-2.0∶0.2-0.6,在衬底上沉积类金刚石薄膜。采用本发明可以在<100℃温度下,在聚合物高分子材料表面涂覆DLC薄膜,工艺简单,可操作性强。薄膜的沉积速度快(可达20-60nm/min),膜基结合牢固(最大膜基结合力达到40N),大大提高了聚合物高分子材料的抗紫外线照射和水、气密封性等综合性能。 |
申请公布号 |
CN1978699A |
申请公布日期 |
2007.06.13 |
申请号 |
CN200610154950.5 |
申请日期 |
2006.11.30 |
申请人 |
浙江大学 |
发明人 |
张溪文;李敏伟 |
分类号 |
C23C16/27(2006.01);C23C16/52(2006.01);C23C16/02(2006.01);C08L23/06(2006.01);C08L23/12(2006.01);C08L27/06(2006.01);C08L77/00(2006.01);C08L67/00(2006.01) |
主分类号 |
C23C16/27(2006.01) |
代理机构 |
杭州求是专利事务所有限公司 |
代理人 |
韩介梅 |
主权项 |
1.聚合物高分子材料表面改性的方法,其特征在于步骤如下:1)以清洁后的聚合物高分子材料为衬底,将其置于脉冲激发等离子体化学气相沉积装置的反应室中,并固定在反应室的上、下平行电极之间;2)反应室抽真空至本底真空3×10-3Pa,通入纯氩气和氢气,衬底保持室温或加热至50-100℃,开启脉冲激发电源,电源的电压为1-3kV,产生等离子体轰击衬底,对聚合物高分子材料表面进行活化处理;3)再通入纯乙烯气体,控制气体流量比为氩气∶氢气∶乙烯=5∶1-2.0∶0.2-0.6,调整反应压强至100-500Pa,调整脉冲激发电源的电压为5-30kV,在衬底上沉积类金刚石薄膜。 |
地址 |
310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号 |