| 发明名称 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 在第1区域(R1)的半导体基板(11)和第2半导体层(13)之间的空洞部(20)内的上下面，形成绝缘膜(21)，再在形成绝缘膜(21)的空洞部(20及槽(19)内，形成埋入绝缘层(22)，同时在第2区域(R2)的半导体基板(11)和第2半导体层(13)之间的上下面，形成绝缘膜(23)，再通过绝缘膜(23)做媒介，将埋入绝缘层(24)埋入第2区域(R2)的半导体基板(11)和半导体层(13)之间。抑制形成场效应型晶体管的半导体层的结晶性的劣化，提高利用背栅电极的阈值控制性。 | ||
| 申请公布号 | CN1979879A | 申请公布日期 | 2007.06.13 |
| 申请号 | CN200610164165.8 | 申请日期 | 2006.12.06 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 加藤树理 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置，其特征在于：具备：半导体层，该半导体层在半导体基板上外延生长而形成；第1埋入绝缘层，该层埋入所述半导体基板与所述半导体层之间的第1区域；以及第2埋入绝缘层，该层埋入所述半导体基板与所述半导体层之间的第2区域，所述第1埋入绝缘层与所述第2埋入绝缘层间，有效功能函数或固定电荷量中的至少一个互不相同。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||