减少等离子体点火压力

摘要

本发明披露了一种用于在等离子处理系统中处理半导体基板的方法。等离子体处理系统包括等离子体处理室和耦合至偏置补偿电路的静电夹盘。该方法包括在等离子体点火步骤中对等离子体点火。在偏置补偿电路提供给夹盘的第一偏置补偿电压大体为零期间和等离子体处理室内的第一室压低于约90mTorr期间，执行等离子体点火步骤。该方法进一步包括在对等离子体点火后在基板处理步骤中处理基板。基板处理步骤采用由偏置补偿电路提供的比第一偏置补偿电压高的第二偏置补偿电压和大体等于第一室压的第二室压。

主权项

1.一种用于在具有等离子体处理室和耦合至偏置补偿电路的静电夹盘的等离子体处理系统中处理半导体基板的方法，包括：在等离子体点火步骤中对等离子体点火，在所述偏置补偿电路提供给所述夹盘的第一偏置补偿电压大体为零期间且在所述等离子体处理室内的第一室压低于约90mTorr期间，执行所述等离子体点火步骤；在对所述等离子体点火后，在基板处理步骤中处理所述基板，所述基板处理步骤采用由所述偏置补偿电路提供的比所述第一偏置补偿电压高的第二偏置补偿电压和大体等于所述第一室压的第二室压。