| 发明名称 | 电容结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种电容结构，其包括下电极、上电极及电容介电层。其中，下电极配置于基底上，为第一电源线。上电极沿着下电极的走向配置于下电极上，并电连接至第二电源线。电容介电层配置于下电极与上电极之间。 | ||
| 申请公布号 | CN1979855A | 申请公布日期 | 2007.06.13 |
| 申请号 | CN200510129744.4 | 申请日期 | 2005.12.06 |
| 申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 陈文吉;陈东波 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01) | 主分类号 | H01L27/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种电容结构，包括：第一电源线，配置于基底上，作为下电极使用；上电极，沿着该下电极的走向配置于该下电极上，并电连接至第二电源线；以及电容介电层，配置于该下电极与该上电极之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||