| 发明名称 | 升压型DC－DC变换器及其控制方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了升压型DC－DC变换器及其控制方法。DC－DC变换器能在低输入电压状态中启动并被构造而不增加电路尺寸。背栅电压(Vsb)从背栅电压生成电路(VBGN)输出并输入到晶体管(FET1)的背栅。在输出电压(Vout)低于参考电压(e0)的时段，振荡信号(OS1)输入到晶体管(FET1)的栅极，背栅电压(Vsb)设置在接地电压。因此晶体管(FET1)具有参考阈值电压(Vto)。而在输出电(Vout)高于参考电压(e0)的时段，脉冲信号(PS)输入到晶体管(FET1)的栅极，背栅电压(Vsb)设置在电荷泵部分(5)的输出电压。因此晶体管(FET1)具有比参考阈值电压(Vto)高的阈值电压。 | ||
| 申请公布号 | CN1980025A | 申请公布日期 | 2007.06.13 |
| 申请号 | CN200610057073.X | 申请日期 | 2006.03.17 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 长谷川守仁;小泽秀清;田尻省二;笠井稔彦 |
| 分类号 | H02M3/155(2006.01) | 主分类号 | H02M3/155(2006.01) |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 赵淑萍 |
| 主权项 | 1.一种升压型DC-DC变换器，包括：作为N型导电元件的主开关晶体管；比较器，所述比较器在参考电压和输出电压之间进行比较，并且在所述输出电压低于所述参考电压的第一时间段和所述输出电压高于所述参考电压的第二时间段之间进行区分；以及背栅控制单元，所述背栅控制单元根据从所述比较器获得的比较结果，在所述第一时间段期间将所述主开关晶体管的背栅电压设置在第一背栅电压，并且在所述第二时间段期间将其背栅电压设置在比所述第一背栅电压低的第二背栅电压。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||