发明名称 降低表面粗糙度的方法
摘要 本发明提供了一种降低半导体材料晶片自由表面粗糙度的方法,该方法包括为使所述自由表面平滑而进行的退火阶段,其特征是降低自由表面粗糙度的阶段包括一个简单的平滑退火操作,该操作是在唯一由纯氩气组成的环境中以快速加温退火的方式进行的。本发明还提供了通过此种方法所制备的一种结构。
申请公布号 CN1321443C 申请公布日期 2007.06.13
申请号 CN02813551.2 申请日期 2002.07.04
申请人 S·O·I·TEC绝缘体上硅技术公司 发明人 E.布雷;L·埃尔卡诺
分类号 H01L21/324(2006.01);H01L21/306(2006.01);H01L21/762(2006.01);H01L21/302(2006.01);H01L21/316(2006.01) 主分类号 H01L21/324(2006.01)
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人 程伟
主权项 1.一种用以降低晶片半导体材料自由表面粗糙度的方法,该方法包括一个使自由表面平滑的退火阶段,其特征在于在降低自由表面粗糙度的阶段里包括在纯氩气的气氛下仅以快速加温退火形式进行的平滑退火操作。
地址 法国贝尔尼
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