发明名称 |
采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法 |
摘要 |
本发明涉及微电子技术领域,特别是一种采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法。其工艺步骤如下:1.在<100>硅基片上淀积SiN<SUB>x</SUB>薄膜;2.光刻,刻蚀SiN<SUB>x</SUB>薄膜,形成腐蚀窗口,去胶;3.腐蚀硅衬底,形成硅突点;4.表面淀积SiO<SUB>2</SUB>薄膜牺牲层;5.光刻,打底胶,表面淀积铬薄膜,剥离,刻蚀SiO<SUB>2</SUB>薄膜孔,去铬,清洗处理表面;6.表面淀积SiN<SUB>x</SUB>薄膜;7.积铬薄膜,光刻,去铬,刻蚀SiN<SUB>x</SUB>薄膜和SiO<SUB>2</SUB>薄膜腐蚀槽;8.腐蚀释放SiO<SUB>2</SUB>薄膜牺牲层;9.表面淀积SiN<SUB>x</SUB>薄膜,密封腐蚀槽。 |
申请公布号 |
CN1979772A |
申请公布日期 |
2007.06.13 |
申请号 |
CN200510127446.1 |
申请日期 |
2005.12.02 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
石莎莉;陈大鹏;欧毅;谢常青;叶甜春 |
分类号 |
H01L21/306(2006.01);H01L21/31(2006.01);B81C1/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/306(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
段成云 |
主权项 |
1、一种基于采用硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法,其牺牲层的形成及释放是由硅衬底在SiNX薄膜掩蔽下被湿法各向异性腐蚀出倒梯形坑及突点,然后在其表面LPCVDSiO2薄膜牺牲层,刻蚀出SiO2薄膜孔,再表面LPCVDSiNX薄膜,刻蚀出SiNX薄膜和SiO2薄膜腐蚀槽,最后湿法腐蚀释放SiO2薄膜牺牲层,表面LPCVDSiNX薄膜,密封腐蚀孔,从而形成牺牲层的制作及释放;其特征在于,其步骤如下:步骤1、在<100>硅基片上淀积SiNX薄膜;步骤2、光刻,刻蚀SiNX薄膜,形成腐蚀窗口,去胶;步骤3、腐蚀硅衬底,形成硅突点;步骤4、表面淀积SiO2薄膜牺牲层;步骤5、光刻,打底胶,表面淀积铬薄膜,剥离,刻蚀SiO2薄膜孔,去铬,清洗处理表面;步骤6、表面淀积SiNX薄膜;步骤7、表面淀积铬薄膜,光刻,去铬,刻蚀SiNX薄膜和SiO2薄膜腐蚀槽;步骤8、腐蚀释放SiO2薄膜牺牲层;步骤9、表面淀积SiNX薄膜,密封腐蚀槽。 |
地址 |
100029北京市朝阳区北土城西路3号 |