| 发明名称 | 半导体吸收镜被动锁模激光器的准Z型腔结构光路 | ||
| 摘要 | 一种半导体吸收镜被动锁模激光器的准Z型腔结构光路，其中包括：一半导体泵浦系统，该半导体泵浦系统的泵浦波长是808nm；一激光晶体，该激光晶体作为激光介质的同时兼作为激光腔的两个端镜之一；一折叠腔镜，该折叠腔镜位于激光晶体的前端，将激光晶体的光线折叠一角度；一半导体吸收镜，该半导体吸收镜作为吸收体的同时兼作为激光腔的两个端镜之一；一聚焦镜，该聚焦镜位于折叠腔镜和半导体吸收镜之间，将激光聚焦在半导体吸收镜上。 | ||
| 申请公布号 | CN1979978A | 申请公布日期 | 2007.06.13 |
| 申请号 | CN200510126324.0 | 申请日期 | 2005.12.07 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 王勇刚;马骁宇 |
| 分类号 | H01S3/08(2006.01);H01S3/098(2006.01) | 主分类号 | H01S3/08(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种半导体吸收镜被动锁模激光器的准Z型腔结构光路，其特征在于，其中包括：一半导体泵浦系统，该半导体泵浦系统的泵浦波长是808nm；一激光晶体，该激光晶体作为激光介质的同时兼作为激光腔的两个端镜之一；一折叠腔镜，该折叠腔镜位于激光晶体的前端，将激光晶体的光线折叠一角度；一半导体吸收镜，该半导体吸收镜作为吸收体的同时兼作为激光腔的两个端镜之一；一聚焦镜，该聚焦镜位于折叠腔镜和半导体吸收镜之间，将激光聚焦在半导体吸收镜上。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||