发明名称 |
用固态磷裂解源炉分子束外延磷化铟材料的方法 |
摘要 |
本发明涉及分子束外延磷裂解炉技术领域,特别是一种用固态磷裂解源炉分子束外延磷化铟材料的方法。方法包括:步骤1:在分子束外延系统中,将衬底加热器旋转至测束流位置并将裂解区升温;步骤2:裂解区降温并将红磷区升温;步骤3:关闭裂解阀阀门进行转化后对红磷区降温;步骤4:将磷源炉裂解区温度设定在生长材料时所使用的温度值;步骤5:按转化时间与转化而成的白磷量经验公式,计算磷源的耗尽时间。本发明的独特之处在于可以准确控制白磷转化量和耗尽时间,外延出高性能磷化铟材料。 |
申请公布号 |
CN1978714A |
申请公布日期 |
2007.06.13 |
申请号 |
CN200510126237.5 |
申请日期 |
2005.11.30 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
李路;刘峰奇;周华兵;梁凌燕;吕小晶 |
分类号 |
C30B25/02(2006.01);C30B29/40(2006.01) |
主分类号 |
C30B25/02(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
段成云 |
主权项 |
1、一种用固态磷裂解源炉分子束外延磷化铟材料的方法,其特征在于,包括如下操作步骤:步骤1:在分子束外延系统中,将衬底加热器旋转至测束流位置,温度设定为一定值,源炉的裂解区升温至1050~1150℃;在此过程中,逐步加大裂解阀的阀门值;当裂解区温度在700~800℃后,将红磷区温度以升温速率2~5℃/min升至250℃,当裂解区温度达到1050~1150℃中的设定值,稳定数分钟后降温至1000℃;步骤2:在裂解区向1000℃降温时,接通用于白磷区降温的氮气源,红磷区继续升温;当红磷区温度到达360℃时,停止升温;此过程中,通过气体流量控制器对氮气流量进行控制;步骤3:当束流计读数达到P0=4×10-6Torr时,完全关闭裂解阀阀门,控制转化时间,然后降低红磷区温度至180℃以下,降温速率同为2~5℃/min;步骤4:当红磷区温度稳定在180℃以下后,将磷源炉裂解区温度设定在生长材料时所使用的温度值,同时通过调节气冷氮气流量,保持白磷区温度稳定;此时,通过BFM测定所需要的磷束流值;步骤5:按转化时间与转化而成的白磷量经验公式,计算磷源的耗尽时间,结合其他分子束外延生长技术,外延磷化铟材料。 |
地址 |
100083北京市海淀区清华东路甲35号 |