发明名称 具有前置增强电路的低压差动信号驱动器
摘要 一种具有前置增强电路的低压差动信号驱动器的电路图,包括了电流控制电路和前置增强电路。其中,前置增强电路又分为源流电路和没流电路,是分别耦接电流控制电路。源流电路和没流电路皆是由两组驱动信号所控制,以提供额外的驱动电流给电流控制电路。此外,在每组驱动信号中,都包括了两个彼此同步但是反相的驱动信号。因此,电流控制电路能够缩减切换往上和往下流经负载电阻的电流的时间。
申请公布号 CN1980063A 申请公布日期 2007.06.13
申请号 CN200510129465.8 申请日期 2005.12.09
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 海谭古研;蔡忠政
分类号 H03K19/0185(2006.01);G09G3/20(2006.01) 主分类号 H03K19/0185(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 黄小临;王志森
主权项 1.一种前置增强电路,适用于低压差动信号驱动器,且该低压差动信号驱动器具有电流输入端和电流输出端,而该前置增强电路包括:第一PMOS晶体管,其第一源/漏极端通过第一电阻耦接至电压源,其栅极端则接收延迟预设时间的第一驱动信号;第二PMOS晶体管,其第一源/漏极端与该第一PMOS晶体管的第二源/漏极端彼此互相耦接,且该第二PMOS晶体管的栅极端是接收第二驱动信号,而其第二源/漏极端则耦接该电流输入端;第三PMOS晶体管,其第一源/漏极端与该第一PMOS晶体管的第一源/漏极端彼此互相耦接,而该第三PMOS晶体管的栅极端则接收延迟预设时间的该第二驱动信号;第四PMOS晶体管,其第一源/漏极端与该第三PMOS晶体管的第二源/漏极端彼此互相耦接,且该第四PMOS晶体管的栅极端接收接收延迟该第一驱动信号,而其第二源/漏极端则与该第二PMOS晶体管的第二源/漏极端彼此互相耦接;第一NMOS晶体管,其第一源/漏极端是耦接至该电流输出端,而其栅极端则接收第三驱动信号;第二NMOS晶体管,其第一源/漏极端是与该第一NMOS晶体管的第二源/漏极端彼此互相耦接,且该第二NMOS晶体管的栅极端接收延迟该预设时间的第四驱动信号,而其第二源/漏极端则通过第二电阻接地;第三NMOS晶体管,其第一源/漏极端与该第一NMOS晶体管的第一源/漏极端彼此互相耦接,而该第三NMOS晶体管的栅极端则接收该第四驱动信号;以及第四NMOS晶体管,其第一源/漏极端与该第三NMOS晶体管的第二源/漏极端彼此互相耦接,且该第四NMOS晶体管的栅极端耦接延迟该预设时间的该第三驱动信号,而其第二源/漏极端则与该第二NMOS晶体管的第二源/漏极端彼此互相耦接。
地址 台湾新竹科学工业园区