| 发明名称 | 非挥发性存储器及其制造方法与操作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种非挥发性存储器单元，其包括基底、导体层、电荷储存层、第一掺杂区、二个第二掺杂区、第一导线及第二导线。基底中具有沟槽，而导体层配置于基底中并填满沟槽。电荷储存层配置于导体层与基底之间。第一掺杂区，配置于沟槽下方的基底中，而二个第二掺杂区分别配置于沟槽两侧的基底中。第一导线及第二导线，配置于基底上，分别电连接于二个第二掺杂区，且第一导线与第二导线为平行排列。 | ||
| 申请公布号 | CN1979865A | 申请公布日期 | 2007.06.13 |
| 申请号 | CN200510129766.0 | 申请日期 | 2005.12.05 |
| 申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 李永忠;陈世宪;黄汉屏 |
| 分类号 | H01L27/105(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L21/8239(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L27/105(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种非挥发性存储器单元，包括：一基底，该基底中具有一沟槽；一导体层，配置于该沟槽中，并于该沟槽方向延伸；一电荷储存层，配置于该导体层与该基底之间；一第一掺杂区，配置于该沟槽下方的该沟槽中；二第二掺杂区，分别配置于该沟槽两侧的该基底中；以及一第一导线及一第二导线，平行配置于该基底上，分别电连接于二第二掺杂区之一，且第一导线与该第二导线以与该导体层相交的方向延伸。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||