| 发明名称 | 减少NMOS器件反窄沟道效应的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种减少NMOS器件反窄沟道效应的方法。在STI的硅刻蚀以后，立刻进行大角度的硼离子注入，注入剂量1e13cm<SUP>－2</SUP>，能量40KeV，角度60度。本发明可以提高窄沟道NMOS器件的阈值电压，改善小尺寸NMOS器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN1979780A | 申请公布日期 | 2007.06.13 |
| 申请号 | CN200510111170.8 | 申请日期 | 2005.12.06 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 钱文生 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/265(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1、一种减少NMOS器件反窄沟道效应的方法，其特征在于：在STI的硅刻蚀以后，立刻进行大角度的硼离子注入，注入剂量1e13cm-2，能量40KeV，角度60度。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||