| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供具有可抑制带间隧道电流结构的半导体装置及其制造方法。该半导体装置至少包含：栅结构体(5)，其具有漏区(9－1、11－1、14－1)和第1侧壁；与该第1侧壁接近的第1绝缘性侧壁结构体(6－1、7－1)；第1导电性侧壁结构体(10－1、13－1)，其通过该第1绝缘性侧壁结构体(6－1、7－1)而与该栅(5)电绝缘，并且与该漏区(9－1、11－1、14－1)电连接。第1导电性侧壁结构体(10－1、13－1)成为与该漏区(9－1、11－1、14－1)实质相同的电位。因此，通过产生从第1导电性侧壁结构体(10－1、13－1)经由第1绝缘性侧壁结构体(6－1、7－1)至栅结构体(5)的电场，缓和了从漏区(9－1、11－1、14－1)经由栅绝缘膜(3)至栅结构体(5)的电场的集中，可抑制带间隧道电流。 | ||
| 申请公布号 | CN1979896A | 申请公布日期 | 2007.06.13 |
| 申请号 | CN200610137356.5 | 申请日期 | 2006.10.20 |
| 申请人 | 冲电气工业株式会社 | 发明人 | 福田浩一 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L29/41(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄纶伟 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其至少具有：源区；漏区；具有第1侧壁的栅；与所述第1侧壁接近的第1绝缘性侧壁结构体；以及第1导电性侧壁结构体，其通过所述第1绝缘性侧壁结构体而与所述栅电绝缘，并且与所述源区和所述漏区中的一方电连接。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||