| 发明名称 | 用电介质材料形成隔离沟槽的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用电介质材料形成半导体器件的隔离沟槽的方法，并且涉及形成存储器件中的隔离沟槽的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1979799A | 申请公布日期 | 2007.06.13 |
| 申请号 | CN200610162746.8 | 申请日期 | 2006.10.19 |
| 申请人 | 奇梦达股份公司 | 发明人 | U·维尔豪森;H·海德梅耶;J·里古尔 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01) | 主分类号 | H01L21/762(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 范晓斌;杨松龄 |
| 主权项 | 1、一种用电介质材料形成半导体器件的隔离沟槽的方法，包括：提供衬底；在衬底中形成沟槽；在衬底中形成孔，该孔直接相邻于该沟槽并通过一开口面与沟槽连接；用牺牲材料填充该孔，并且该孔中提供一空间，该空间具有通向该沟槽的开口面；在沟槽中和该孔的该空间中沉积电介质材料；去除该孔中的牺牲材料；和固化该电介质材料。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||