发明名称 |
有机薄膜晶体管及其制造方法 |
摘要 |
一种有机薄膜晶体管,其包括基板、栅极、栅介电层、源极、漏极以及有机半导体层。栅极设置于基板上,而栅极具有一个顶面与两个侧壁。栅介电层全面且连续地覆盖基板与栅极的顶面与侧壁。源极设置于栅极顶面的栅介电层上且漏极设置于栅极旁的栅介电层上,或源极设置于栅极旁的栅介电层上且漏极设置于栅极顶面的栅介电层上。有机半导体层全面且连续地覆盖源极与漏极,其中位于侧壁上的有机半导体层是作为通道而电连接源极与漏极。此有机薄膜晶体管的结构可有效地提高元件操作特性与驱动能力。 |
申请公布号 |
CN1979911A |
申请公布日期 |
2007.06.13 |
申请号 |
CN200510127715.4 |
申请日期 |
2005.12.02 |
申请人 |
中华映管股份有限公司 |
发明人 |
冉晓雯;颜国锡;柯杰斌;吴泉毅 |
分类号 |
H01L51/05(2006.01);H01L51/40(2006.01) |
主分类号 |
H01L51/05(2006.01) |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
陈亮 |
主权项 |
1.一种有机薄膜晶体管,其特征是包括:基板;栅极,设置于该基板上,且该栅极具有一个顶面与两个侧壁;栅介电层,全面且连续地覆盖该基板与该栅极的该顶面与上述这些侧壁;源极及漏极,该源极设置于该栅极的该顶面的该栅介电层上且该漏极设置于该栅极旁的该栅介电层上,或该源极设置于该栅极旁的该栅介电层上且该漏极设置于该栅极的该顶面的该栅介电层上;以及有机半导体层,全面且连续地覆盖该源极与该漏极,其中位于上述这些侧壁上的该有机半导体层是作为通道而电连接该源极与该漏极。 |
地址 |
台湾省台北市中山北路三段二十二号 |