接触窗的形成方法以及半导体元件

摘要

一种接触窗的形成方法，此方法为提供已形成有至少二金属氧化物半导体晶体管的衬底，且相邻金属氧化物半导体晶体管之间具有一间隙。然后，于衬底上方形成第一应力层，覆盖金属氧化物半导体晶体管与衬底。其中，第一应力层的形成步骤为，先于衬底上方形成应力材料层，以覆盖金属氧化物半导体晶体管，且填入间隙中，而形成于间隙内的应力材料层中具有隙缝。接着，进行回蚀刻工艺，移除间隙内的部分应力材料层。之后，于第一应力层上依序形成第二应力层与介电层。随后，移除间隙内的部分介电层、部分第一应力层与部分第二应力层，以形成接触窗开口。接着，于接触窗开口中填入导体层。

主权项

1.一种接触窗的形成方法，包括：提供一衬底，该衬底上已形成有至少二金属氧化物半导体晶体管，且二金属氧化物半导体晶体管之间具有一间隙；于该衬底上方形成一第一应力层，以覆盖二金属氧化物半导体晶体管与该衬底，其中该第一应力层的形成步骤包括：于该衬底上方形成一应力材料层，覆盖二金属氧化物半导体晶体管，且填入该间隙中，其中形成于该间隙内的该应力材料层中具有一隙缝；以及进行一回蚀刻工艺，以移除该间隙内的部分该应力材料层，以扩大该隙缝的宽度；于该第一应力层上形成一第二应力层；于该第二应力层上形成一介电层；移除该间隙内的部分该介电层、部分该第一应力层与部分该第二应力层，直至暴露出部分该衬底表面，以形成一接触窗开口；以及于该接触窗开口中填入一导体层。