| 发明名称 | 一种缓解MOS场效应管反窄沟道效应的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种缓解MOS场效应管反窄沟道效应的方法，首先确定中压MOS晶体管的低压阱和阈值电压调节离子注入区域；确定低压MOS晶体管的中压阱和阈值电压调节离子注入区域；然后，修改相应的中压和低压MOS晶体管的阱离子注入和阈值电压调节离子注入光刻板版图，以在低压MOS晶体管靠近浅沟道隔离区的硅区域边缘部分进行中压MOS晶体管的阱离子注入和阈值电压调节离子注入，并在中压MOS晶体管靠近浅沟道隔离区的硅区域边缘部分进行低压MOS晶体管的阱离子注入和阈值电压调节离子注入；最后，制作光刻板并进行流片。本发明可以同时有效缓解低压和中压MOS晶体管的反窄沟道效应。 | ||
| 申请公布号 | CN1979784A | 申请公布日期 | 2007.06.13 |
| 申请号 | CN200510111300.8 | 申请日期 | 2005.12.08 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 伍宏;陈晓波 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/266(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1、一种缓解MOS场效应管反窄沟道效应的方法，其特征在于，首先确定中压MOS晶体管的低压阱和阈值电压调节离子注入区域，即该注入区域在该MOS晶体管硅区域里的宽度(a)和该注入区域在该中压MOS晶体管硅区域外即浅沟道隔离区域里的宽度(b)；确定低压MOS晶体管的中压阱和阈值电压调节离子注入区域，即该注入区域在该低压MOS晶体管硅区域里的宽度(c)和该注入区域在该低压MOS晶体管硅区域外即浅沟道隔离区域里的宽度(d)；然后，修改相应的中压和低压MOS晶体管的阱离子注入和阈值电压调节离子注入光刻板版图，以在低压MOS晶体管靠近浅沟道隔离区的硅区域边缘部分进行中压MOS晶体管的阱离子注入和阈值电压调节离子注入，并在中压MOS晶体管靠近浅沟道隔离区的硅区域边缘部分进行低压MOS晶体管的阱离子注入和阈值电压调节离子注入；最后，制作光刻板并进行流片。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||