| 发明名称 | 氮化物系半导体衬底及半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供在确保充分的导电性的同时，具有高的导热率和高的电子迁移率的氮化物系半导体衬底以及半导体装置。氮化物系半导体衬底是由具有直径大于等于25mm且厚度大于等于250μm的尺寸的氮化物系半导体构成的衬底，其特征为，n型载流子浓度为1.2×10<SUP>18</SUP>cm<SUP>－3</SUP>～3×10<SUP>19</SUP>cm<SUP>－3</SUP>，并且导热率为1.2W/cmK～3.5W/cmK。另外，在该氮化物系半导体衬底上，外延生长氮化物系半导体来制成半导体装置。 | ||
| 申请公布号 | CN1979766A | 申请公布日期 | 2007.06.13 |
| 申请号 | CN200610108309.8 | 申请日期 | 2006.08.01 |
| 申请人 | 日立电线株式会社 | 发明人 | 大岛佑一 |
| 分类号 | H01L21/08(2006.01);H01L21/205(2006.01);C30B29/38(2006.01) | 主分类号 | H01L21/08(2006.01) |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | 钟晶 |
| 主权项 | 1.氮化物系半导体衬底，其是由具有直径大于等于25mm且厚度大于等于250μm的尺寸的氮化物系半导体构成的衬底，其特征为，n型载流子浓度为1.2×1018cm-3～3×1019cm-3，并且导热率为1.2W/cmK～3.5W/cmK。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||