| 发明名称 | 多位闪存单元的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种多位闪存单元的制造方法。在该方法中，首先形成离子注入掩模，以暴露半导体衬底中的沟道区的一部分。在该暴露的区中注入离子，从而局部编码阈值电压，以产生一个具有第一阈值电压的注入离子的沟道区和具有第二阈值电压的未注入离子的第二区。在该沟道区上形成隧道介电层，并在该隧道介电层上形成浮置栅极和控制栅极。 | ||
| 申请公布号 | CN1979788A | 申请公布日期 | 2007.06.13 |
| 申请号 | CN200610164293.2 | 申请日期 | 2006.12.08 |
| 申请人 | 东部电子股份有限公司 | 发明人 | 郭哲尚 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L29/788(2006.01);H01L27/115(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 1.一种方法，包括如下步骤：在半导体衬底的沟道区的第一部分中注入离子，而在所述半导体衬底的所述沟道区的第二部分中不进行离子注入；在所述沟道区上形成隧道介电层；以及在所述隧道介电层上形成浮置栅极和控制栅极。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||