发明名称 |
闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法 |
摘要 |
本发明涉及微电子和光电子用化合物半导体材料制备技术领域,特别是一种闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法。在封闭的石英管内,一端放置高纯ZnO粉作为源,另一端放置籽晶,通过控制源区与生长区的温度分布实现气相传输,生长ZnO体单晶,在生长过程中放入少量的高纯碳。选用一端为平面封口的圆形石英管作外管,再选用一根外径与籽晶片直径相同的石英管称为内管,用来顶住籽晶片,使其固定在石英管的平面端,ZnO粉放置在内管的另一端,同时放入少量的高纯碳粉,然后外管接真空系统,抽真空后用石英封泡封闭,将封好口的石英管放入水平加热炉内升温加热,控制温度分布进行ZnO单晶生 长。 |
申请公布号 |
CN1978713A |
申请公布日期 |
2007.06.13 |
申请号 |
CN200510126238.X |
申请日期 |
2005.11.30 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
赵有文;董志远;段满龙;魏学成 |
分类号 |
C30B25/00(2006.01);C30B29/16(2006.01) |
主分类号 |
C30B25/00(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
段成云 |
主权项 |
1.一种闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法,在封闭的石英管内,一端放置高纯ZnO粉作为源,另一端放置籽晶,通过控制源区与生长区的温度分布实现气相传输,生长ZnO体单晶,在生长过程中放入少量的高纯碳。 |
地址 |
100083北京市海淀区清华东路甲35号 |