防静电保护器件

摘要

本发明公开了一种防静电保护器件，包括多个并联的NMOS管，在P衬底上设置有并排的P阱和N阱，所述NMOS管设置于并排的P阱和N阱上，该NMOS管的源极和栅极位于P阱上方，该NMOS管的漏极包括N阱和两个N型扩散区，所述两N型扩散区上方分别各有一个金属硅化物层；所述两N型扩散区中间有一间隔，其中一个N型扩散区位于P阱和N阱交界处的上方，另一个N型扩散区位于N阱上方，所述位于N阱上方的N型扩散区的金属硅化物与一个包含有导电物质的通孔相连接。本发明通过将设置于N阱上的N型扩散区断开，不仅能使各NMOS管均匀开启，还大大的提高了器件的散热效率和耐压强度。

主权项

1.一种防静电保护器件，其特征在于，包括多个并联的NMOS管，各NMOS管中，在P衬底上设置有并排的P阱和N阱，所述NMOS管设置于并排的P阱和N阱上，该NMOS管的源极和栅极位于P阱上方，该NMOS管的漏极包括N阱和两个N型扩散区，所述两N型扩散区上方分别各有一个金属硅化物层；所述两N型扩散区中间有一间隔，其中一个N型扩散区位于P阱和N阱交界处的上方，另一个N型扩散区位于N阱上方，所述位于N阱上方的N型扩散区的金属硅化物与一个包含有导电物质的通孔相连接。