具有电极层处理的相变随机存取存储器的制造方法

摘要

一种制造相变存储装置的方法包含形成电极层。使用导体填充技术在所述电极层中制造电极，所述技术还使用层间导体以用于金属化层，从而改进以金属化层的缩短的临界尺寸来定标的制程。所述电极层通过如下步骤制成：在基底上形成多层电介质层，蚀刻所述多层电介质层以形成用于电极部件接触下方电路的通孔，在所述通孔上形成绝缘间隙壁，蚀刻穿过所述多层电介质层中的顶层以在所述绝缘间隙壁之间形成用于电极部件接触上方电路的沟渠，使用金属化制程用导电材料填充所述通孔和沟渠。记忆材料制成的薄膜桥形成于所述电极层上。

主权项

1.一种用于制造存储装置的方法，其特征在于，包含：在具有顶部表面的一基底中形成一电路，所述电路包括在所述基底的顶部表面上的一第一接触窗阵列；在所述基底上形成一电极层，所述电极层具有顶部表面，所述电极层包括一电极对阵列，包括使用一金属化制程来沉积个别电极对的一第一电极和一第二电极，并在所述第一电极与所述第二电极之间形成个别绝缘部件，其中所述第一电极与所述第一接触窗阵列中的对应接触窗相接触，且其中所述第一电极与所述第二电极和所述绝缘部件延伸到所述电极层的顶部表面，且所述绝缘部件具有在所述电极层的顶部表面，介于所述第一电极与所述第二电极之间的一宽度；在所述电极层的顶部表面上形成一记忆材料制成的一桥阵列，所述桥阵列包括用于所述电极对阵列中的每一所述电极对的桥，接触个别所述第一电极和所述第二电极并跨越个别所述绝缘部件延伸，所述桥包含所述记忆材料制成的一补片，所述补片具有一第一侧和一第二侧，并以所述第一侧接触个别所述第一电极和所述第二电极，所述桥界定跨越所述绝缘部件在所述第一电极与所述第二电极之间的一电极间路径，所述电极间路径具有由所述绝缘部件的所述宽度所界定的一路径长度，其中所述记忆材料具有至少两种固相；以及使用所述金属化制程在所述桥上形成一图案化导电层，并在所述电极对阵列中的所述第二电极与所述图案化导电层之间形成一第二接触窗阵列。