| 发明名称 | 栅控二极管非易失性存储器单元 | ||
| 摘要 | 一种具有电荷储存结构的栅控二极管非易失性存储器单元，包括具有额外栅极端的二极管结构。示例性实施例包括独立的存储器单元、此类存储器单元的阵列、操作此存储器单元或存储器单元阵列的方法及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1979873A | 申请公布日期 | 2007.06.13 |
| 申请号 | CN200610164059.X | 申请日期 | 2006.12.06 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 廖意瑛;蔡文哲;叶致锴 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);G11C16/02(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 韩宏 |
| 主权项 | 1.一种储存数据的非易失性存储器器件集成电路，包括：电荷储存结构；一个或多个储存介质结构，其至少一部份在该电荷储存结构及一二极管结构之间，且至少一部份在该电荷储存结构及一栅极电压源之间；该二极管结构具有第一节点及第二节点，以结分隔该第一节点及该第二节点，该第一节点及该第二节点的至少一部份邻近该一个或多个储存介质结构，而且该二极管结构具有横截面，其中，该第二节点具有相对端，以绝缘介质层与相邻器件分隔。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||