| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构及其制造方法，其中该半导体结构包括：一基底；一第一低介电常数介电层，其覆盖该基底，包括一第一区以及一第二区；多个导电构件，其位于该低介电常数介电层内；一上盖层，其位于所述导电构件的至少一部分上；以及一介电上盖层，其覆盖该第一低介电常数介电层的第二区上，且未设置于该第一区，其中位于该第二区内的所述导电构件比位于该第一区内的所述导电构件的间距更宽。该介电上盖层优选具有一固有压缩应力。 | ||
| 申请公布号 | CN1979841A | 申请公布日期 | 2007.06.13 |
| 申请号 | CN200610164029.9 | 申请日期 | 2006.12.05 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 吴仓聚;章勋明 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L23/522(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 潘培坤 |
| 主权项 | 1、一种半导体结构，包括：一基底；一第一低介电常数介电层，其覆盖该基底，包括一第一区以及一第二区；多个导电构件，其位于该第一低介电常数介电层内；一上盖层，其位于所述导电构件的至少一部分上；以及一介电上盖层，其覆盖该第一低介电常数介电层的第二区上且未设置于该第一低介电常数介电层的第一区，其中位于该第二区内的所述导电构件比位于该第一区内的所述导电构件具有更宽的间距。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||